富臨科技於 04 March 2019 取得 SGS ISO 9001:2015 証書
 
PECVD 化學氣相沉積
本公司推出的PECVD是一部單腔製程的電漿輔助化學氣相沉積系統,適用於200mm晶圓製造以及Ⅲ-Ⅴ族晶圓製程,可沉積製造薄膜包括氮化矽(SiNX)和氮化矽氧化矽(SiO2) 碳化矽(SiC)等高品質薄膜沉積。
本公司推出的PECVD是一部單腔製程的電漿輔助化學氣相沉積系統,適用於200mm晶圓製造以及Ⅲ-Ⅴ族晶圓製程,可沉積製造薄膜包括氮化矽(SiNX)和氮化矽氧化矽(SiO2) 碳化矽(SiC)等高品質薄膜沉積。
此系統擁有良好之均勻性(<3%)以及半導體製造過程中所需的階梯覆蓋及隙縫填補能力,可應用在保護層、隔離層和介電絕緣層沉積以及光罩(hard mask)等製程應用,提供MMIC、VCSEL、藍光LED、LD等光電與通訊半導體元件以及太陽能產業的必要製程設備。
本公司之PECVD電漿輔助化學氣相沉積系統直接支援200mm單晶圓以及適用Ⅲ-Ⅴ族晶圓製程2吋晶片可達13片,此系統更可升級成多腔集束型之系統與Cluster Tool傳輸平台相互搭配,適用於半導體生產製程;為了順應批次生產之數量擴充,本公司更提供18吋大面積之尺寸適用Ⅲ-Ⅴ族晶圓製程2吋晶片可達42片,以及大陽能電池相關製程之應用。
PECVD在本土設備製造上之技術能力已技冠全台,藉由多層均勻分流的shower head以及良好的抽氣系統,並搭配均溫性超好的heater,能在200mm晶圓範圍內提供均勻、低應力且無隙洞的高品質薄膜沉積。
本公司之機台具體良好的機構設計可將薄膜缺陷與微粒數目產生降至到最低,以提高晶圓的整體產能與製造良率。友善的使用者操作介面,簡易的保養維護以及長期運轉的機台穩定度,是國內薄膜製程機台的首選。
 
 
         

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