富臨科技於 04 March 2019 取得 SGS ISO 9001:2015 証書
 
ICP Etcher蝕刻系統
ICP Etcher蝕刻系統可蝕刻材質包括SiO2、Si3N4、SiON、SiC、Metal,如Poly-Si、Al、W、Ti以及三五族化合物材質如GaAs、GaAlAs、InP、InGaP、GaN及GaInN等。

本公司推出iDE200-Etcher是一部單腔製程的高密度電漿蝕刻系統,適用於200mm晶圓製造。可蝕刻材質包括SiO2、Si3N4、SiON、SiC、Metal,如Poly-Si、Al、W、Ti以及三五族化合物材質如GaAs、GaAlAs、InP、InGaP、GaN及GaInN等。提供高效能、高可靠度蝕刻製程全方位解決方案,將可支援各種介電質材料蝕刻、高深寬比溝渠蝕刻、金屬蝕刻及GaN、InP、DBR等化合物半導體蝕刻等應用。
iDE200-Etcher高密度電漿蝕刻系統可直接支援200mm單晶圓以及適用Ⅲ-Ⅴ族晶圓製程2吋晶片可達13片,此系統更可升級成多腔集束型之系統,適用於半導體生產製程;iDE具備晶圓背部氦氣冷卻技術,可有效的控制及冷卻晶圓溫度,以適用GaN製程中之晶圓基材蝕刻,以及光阻型式光罩之蝕刻製程需求。
iDE系列擁有均勻的大面積高密度電漿源,以及最佳化均勻流場Gas ring與排氣效率設計,提供生產良好之均勻性<±5%。高密度電漿蝕刻系統不論在蝕刻速率、蝕刻結果、電漿效能、蝕刻異向性等方面都有優異之表現。友善的使用者操作介面,簡易的保養維護以及長期運轉的機台穩定度,是國內蝕刻製程機台的首選。
富臨科技成功開發次微米圖案化藍寶石基板PSS蝕刻製程(99/04)
 
 
         

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